Possibile un iPhone da 128 GB nel 2013 grazie alla flash NAND di Intel e Micron

Intel e Micron hanno annunciato una novità assoluta per il settore, attraverso una loro collaborazione hanno infatti creato un nuovo chip NAND da 128 gigabite realizzati con processo a 20 nanometri.

Questo sono le memorie che vengono utilizzate su dispositivi mobili quali smartphone e tablet e quindi significa che in un futuro davvero prossimo potremo avere una capacità di moria fino  128 GB, il doppio di quella attualmente disponibile con l’iPhone 4S che risulta essere di 64 GB.

In questo nuovo modulo di memoria gli stack di chip NAND sono posizionati uno sopra l’altro per ottenere maggiore spazio di archiviazione. Intel afferma di essere in grado di ampliare 8 di questi 128 chip gigabit, dando così la possibilità di archiviare 128 GB. La produzione di massa di questi chip NAND ad alta capacità avrà inizio nella prima metà del 2012, anche se dovremo presumibilmente attendere fino al 2013 per vedere tali componenti installati su un dispositivo in uscita sul mercato.

Oltre a alla nuova  capacità di memoria i nuovi chip Intel apportano miglioramenti anche per quanto attiene la velocità, l’Open NAND Flash Interface Working Group, o ONFI, stabilisce gli standard che tutti i chip NAND devono avere in modo da dettare le caratteristiche standard che tali componenti devono avere. Quella usata attualmente sulle NAND in commercio è la specifica 2.0 la quale ha un limite massimo di velocità di 200 megatransfers al secondo (MT / s). Questi nuovi chip 128 Gb usano una specifica ONFI versione 3.0, che arriva invece fino a 333 MT / s.

Ecco l’analisi secondo AnandTech di tale nuovo componente: “Avremo un impatto diretto sulle prestazioni in lettura sequenziale con una maggiore velocità dell’interfaccia”.

Quindi prepariamoci nel 2013 a vedere in commercio un iPhone ed iPad con una memoria da 128 GB.

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